以下存储器中,需要周期性刷新的是【 】。
A、DRAM
B、SRAM
C、FLASH
D、EEPROM
以下存储器中,需要周期性刷新的是【 】。
A、DRAM
B、SRAM
C、FLASH
D、EEPROM
A
【解析】
DRAM是指动态随机存储器,是构成内存储器的主要存储器,需要周期性地进行刷新才能保持所存储的数据。
SRAM是静态随机存储器,只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持,是构成高速缓存的主要存储器。
FLASH闪存是属于内存器件的一种,在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据其存储特性相当于硬盘,该特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
EEPROM是电可擦除可编程只读存储器。
在计算机系统中常用的输入/输出控制方式有无条件传送、中断、程序查询和DMA等。其中,采用【 】方式时,不需要CPU控制数据的传输过程。
CPU中设置了多个寄存器,其中,【 】用于保存待执行指令的地址。
偏移寻址通过将某个寄存器内容与一个形式地址相加而生成有效地址。下列寻址方式中,不属于偏移寻址的是【 】。
某机器有一个标志寄存器,其中有进位/借位标志CF、零标志ZF、符号标志SF和溢出标志OF,条件转移指令bgt(无符号整数比较大于时转移)的转移条件是【 】。
某计算机的指令流水线由四个功能段组成。已知指令流经各功能段的时间(忽略各功能段之间的缓存时间) 分别为 90ns、80ns、70ns 和 60ns,则该计算机的CPU时钟周期至少是【 】。
一个512KB的存储器,其地址线和数据线的总和是__________。
目前微机中使用的半导体存储器包括哪几种类型?它们各有哪些特点?分别适用于什么场合(请从存取方式、制造工艺、速度、容量等各个方面讨论)?人们常说的内存是指这其中的哪一种或哪几种类型?
下图是目前计算机常用的存储器体系结构。CPU→调整缓存(SRAM)→内存(DRAM)→虚拟存储器请问:SRAM和DRAM有何区别?虚拟存储器有何特点?该层次结构有何特点?
主存—辅存层次和Cache—主存层次采用的地址变换和映像方式从原理上看是相同的。
为什么要把存储系统细分成若干个级别?目前微机的存储系统中主要有哪几级存储器?各级存储器是如何分工的?