DRAM是指动态随机存储器，是构成内存储器的主要存储器，需要周期性地进行刷新才能保持所存储的数据。

SRAM是静态随机存储器，只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持，是构成高速缓存的主要存储器。

FLASH闪存是属于内存器件的一种，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据其存储特性相当于硬盘，该特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。

EEPROM是电可擦除可编程只读存储器。

高速缓存(Cache)是随着 CPU 与主存之间的性能差距不断增大而引入的，相对于主存，其容量小、速度快，所存储的内容是 CPU 近期可能会需要的信息，也就是主存内容的副本，因此 CPU 需要访问数据和读取指令时要先访问 Cache，若命中则直接访问，若不命中再去访问主存。

虚拟存储是指将多个不同类型、独立存在的物理存储体，通过软、硬件技术，集成为一个逻辑上的虚拟的存储系统，集中管理供用户统一使用。这个虚拟逻辑存储单元的存储容量是它所集中管理的各物理存储体的存储量的总和，而它具有的访问带宽则在一定程度上接近各个物理存储体的访问带宽之和。

虚拟存储器实际上是主存和辅存构成的一种逻辑存储器，实质是对物理存储设备进行逻辑化的处理，并将统一的逻辑视图呈现给用户。

64K×32位的存储器(每个存储单元含32位)有64K个存储单元，即2¹⁶个存储单元，地址编号的位数为16。

静态存储单元(SRAM)由触发器存储数据，其优点是速度快、使用简单、不需刷新、静态功耗极低，常用作高速缓存( Cache)，缺点是元件数多、集成度低、运行功耗大。动态存储单元(DRAM)需要不停地刷新电路，否则内部的数据将会消失。刷新是周期性地给栅极电容补充电荷的操作。DRAM的优点是集成度高、功耗低，价格也低。