单项选择(2016年春程序员软考)

设有一个64K×32位的存储器(每个存储单元为32位),其存储单元的地址宽度为【 】。

A、15

B、16

C、30

D、32

答案解析

B

【解析】

64K×32位的存储器(每个存储单元含32位)有64K个存储单元,即216个存储单元,地址编号的位数为16。

讨论

某一SRAM芯片,其容量为1024×8位,除电源和接地端外,该芯片最少引出线数为【 】。

某一SRAM芯片,容量为512×8位,除了电源和接地端外,该芯片引出线的最少数目应该为【 】。

某机器CPU可寻址的最大存储空间为64KB,存储器按字节编址,CPU的数据总线宽度为8位,可提供一个控制器信号为RD。目前,系统中使用的存储器容量为8KB,其中4KB为ROM。拟采用2K×8位的ROM芯片,其地址范围是0000H~0FFFH。4KB为ROM,拟采用4K×2位的RAM芯片,其地址范围为4000H~4FFFH。(1)需要RAM和ROM芯片各多少片?(2)画出CPU与存储器之间的连接图(译码器自定)。

用若干个2K×4位芯片组成一个8K×8位存储器,则地址0B1FH所在芯片的最小地址是【 】。

某计算机主存容量为64KB,其中ROM区为4KB,其余为RAM区,按字节编址。现要用2K×8位的ROM芯片和4K×4位的RAM芯片来设计该存储器,则需要上述规格的ROM芯片数和RAM芯片数分别是【 】。

某计算机存储器按字节编址,主存在址空间大小为64MB,现用4M×8位芯片组成32MB的主存储器,则存储器地址寄存器MAR的位数至少是【 】。

某容量为256MB的存储器由若干4M×8位的DRAM芯片构成,该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚的总数是【 】。

一个512KB的存储器,其地址线和数据线的总和是__________。

某机字长32位,主存储器按字节编址,现有4种不同长度的数据(字节、半字、单字、双字),请采用一种既节省存储空间,又能保证任何长度的数据都在单个存取周期内完成读/写的方法,将一批数据顺序地存入主存,画出主存中数据的存放示意图。这批数据共有10个,它们依次为字节、半字、双字、单字、字节、单字、双字、半字、单字、字节。

采用虚拟存储器的目的是【 】。

动态RAM的刷新是以【 】为单位进行的。

下列关于存储器的描述,正确的有【 】。

某机主存的读写周期为1μs。今采用增设Cache方案和采用多体交叉存取方案来使其有效访问周期减少到0.2μs,试问:① 设Cache的命中率为90%,则Cache的读写周期应为多少才能满足要求?② 设在多体交叉存取访问时,产生存储体访问冲突的概率为10%,则应有多少存储体并行工作才能满足要求?

设某计算机采用单地址格式,指令和数据的长度均为4个字节,存储系统由Cache和主存组成,Cache的存取周期为40μs,命中率为90%。若程序中访存指令(访问存储系统以存取数据)占80%,且机器运行程序的速度为每秒400万条指令。试问该主存的供数率是多少?又若不配置Cache,在同样的机器速度下,主存的供数率是多少?

评价磁记录方式的基本因素一般有__________、__________和__________。

下列有关RAM和ROM的叙述中,正确的是【 】。I. RAM易失性存储器,ROM是非易失性存储器II. RAM和ROM都是采用随机存取的方式进行信息访问III. RAM和ROM都可用作CacheIV. RAM和ROM都需要进行刷新

下列各类存储器中,不采用随机存储方式的是【 】。

关于闪存(Flash Memory)的叙述中,错误的是【 】。

按照刷新周期方式不同,可将DRAM的刷新分为_________、_________和_________。

MOS半导体存储器可分为_________、_________两种类型,其中_________需要刷新。